Replika pierwszego tranzystora firmy Bell Telephone Laboratories
Tranzystor - trójelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy)
półprzewodnikowy
element
elektroniczny
, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Według oficjalnej dokumentacji z
Laboratoriów Bella
nazwa urządzenia wywodzi się od słów transkonduktancja (transconductance) i
warystor
(varistor), jako że "element logiczny należy do rodziny warystorów i ma transkonduktancję typową dla elementu z
współczynnikiem wzmocnienia
co czyni taką nazwę opisową"[1].
Historia
Pierwsze
patenty
na tranzystor zostały udzielone w latach
1925
do
1930
r. w
Kanadzie
,
USA
i
Niemczech
Juliusowi Edgarowi Lilienfeldowi
. Jego projekty były zbliżone do tranzystora
MOSFET
[2], jednak ze względów technologicznych (głównie czystości materiałów) tranzystora nie udało się skonstruować - stało się to możliwe dopiero w drugiej połowie XX wieku.
Pierwszy działający tranzystor (
ostrzowy
) został skonstruowany
16 grudnia
1947
r. w laboratoriach firmy
Bell Telephone Laboratories
przez
Johna Bardeena
oraz
Waltera Housera Brattaina
. W następnym roku
William Bradford Shockley
z tego samego laboratorium opracował teoretycznie
tranzystor złączowy
, który udało się zbudować w
1950
.
John Bardeen
,
Walter Houser Brattain
oraz
William Bradford Shockley
, za wynalazek tranzystora otrzymali
Nagrodę Nobla z fizyki
w
1956
.
W 1949 dwaj niemieccy fizycy (zaangażowani poprzednio w program radarowy) Herbert Mataré i Heinrich Welker pracując w paryskim oddziale firmy Westinghouse niezależnie zbudowali tranzystor (który nazwali transistronem)[3].
W 1957 William Bradford Shockley pracując w Shockley Semiconductor Laboratory zbudował złączowy tranzystor polowy
JFET
.
W 1959 John Atalla i Davon Kahng, również z Bell Labs, zbudowali pierwszy tranzystor MOSFET, wykorzystując przy tym opracowany w tym samym laboratorium proces
utleniania
powierzchni kryształu
krzemu
[4].
Polska
Germanowe tranzystory stopowe Tewy na tle opakowania:
seledynowe: małej mocy
TG2
i średniej mocy TG55 z początku lat sześćdziesiątych,
oraz metalowy tranzystor dużej mocy ADP665 z 1972 r.
Pierwszymi tranzystorami zbudowanymi w Polsce były
tranzystory ostrzowe
TP1-TP3 (od tranzystor punktowy, rok
1953
). Ze względu na niestabilność parametrów i nietrwałość nie nadawały się one do praktycznych zastosowań [5]. Pierwszymi wytwarzanymi w krótkich seriach
germanowy
tranzystorami stopowymi
były TC11-TC15, wyprodukowane do
1959
w liczbie kilkunastu tysięcy egzemplarzy. Również i one nie znalazły zastosowania przemysłowego[6]. Produkcja na skalę przemysłową została uruchomiona w roku
1960
przez
Tewę
. Były to germanowe tranzystory stopowe małej częstotliwości serii
TG1-TG5
, i
TG70
. Rok później uruchomiono produkcję tranzystorów średniej częstotliwości TG10 i TG20 oraz serii
TG50
[7].
Znaczenie
Wynalezienie tranzystora uważa się za przełom w elektronice, zastąpił on bowiem duże, zawodne i energochłonne
lampy elektronowe
, dając początek coraz większej miniaturyzacji przyrządów i
urządzeń
elektronicznych, zwłaszcza że dzięki mniejszemu poborowi mocy można było zmniejszyć też współpracujące z tranzystorami
elementy bierne
.
Podział
Symbole tranzystorów |
bipolarne |
| |
typu pnp | typu npn |
Wyróżnia się dwie główne grupy tranzystorów, różniące się zasadniczo zasadą działania - tranzystory bipolarne i tranzystory unipolarne.
Tranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne , w których prąd przepływa przez
złącza
półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa (n i p). Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa: npn lub pnp (o nazwach emiter - E, baza - B i kolektor - C). Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między innymi elektrodami (kolektorem i emiterem).
Tranzystory unipolarne
JFET |
| |
MOSFET |
| |
| |
z kanałem p | z kanałem n |
Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe) to takie, w których prąd płynie przez półprzewodnik o jednym typie przewodnictwa. Prąd wyjściowy jest w nich funkcją napięcia sterującego.
W obszarze półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (symbol S) i drenem (D) tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż tego obszaru umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G). Napięcie przyłożone do bramki zmienia przewodnictwo kanału, wpływając w ten sposób na płynący prąd. W tranzystorach MOSFET bramka jest odizolowana od kanału warstwą dielektryka, a w tranzystorach polowych złączowych (JFET) spolaryzowanym w kierunku zaporowym złączem p-n.
Inne kryteria podziału
Inne, typy tranzystorów to:
Tranzystory dzieli się też ze względu na typy użytych półprzewodników:
- Pnp, npn - bipolarne,
- Z kanałem typu p, z kanałem typu n - unipolarne.
Innym możliwym podziałem tranzystorów jest podział ze względu na materiał półprzewodnikowy z jakiego są wykonywane:
-
German
- materiał historyczny, obecnie najczęściej stosowany w technice wysokich częstotliwości w połączeniu z krzemem (heterostruktury),
-
Krzem
- obecnie podstawowy materiał półprzewodnikowy, bardzo szeroko stosowany,
-
Arsenek galu
- stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
-
Azotek galu
- stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
-
Węglik krzemu
- (rzadko) stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości, dużych mocy i w wysokich temperaturach.
Ze względu na parametry tranzystory dzieli się na:
- Małej mocy, małej częstotliwości
- Dużej mocy, małej częstotliwości
- Małej mocy, wielkiej częstotliwości
- Dużej mocy, wielkiej częstotliwości
- Tranzystory przełączające (impulsowe)
- Itd.
Przy nazywaniu tranzystora określenia te są często łączone, mówimy więc na przykład: bipolarny tranzystor krzemowy NPN, dużej mocy, wielkiej częstotliwości.
Zastosowanie
Tranzystory ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajdują bardzo szerokie zastosowanie. Są wykorzystywane do budowy
wzmacniaczy
różnego rodzaju: różnicowych,
operacyjnych
, mocy, selektywnych, pasmowych. Jest kluczowym elementem w konstrukcji wielu układów elektronicznych, takich jak źródła prądowe,
lustra prądowe
,
stabilizatory
, przesuwniki napięcia, klucze elektroniczne, przerzutniki, generatory i wiele innych.
Ponieważ tranzystor może pełnić rolę klucza elektronicznego, z tranzystorów buduje się także
bramki logiczne
realizujące podstawowe
funkcje boolowskie
, co stało się motorem do bardzo dynamicznego rozwoju
techniki cyfrowej
w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są także podstawowym budulcem wielu rodzajów
pamięci
półprzewodnikowych (
RAM
,
ROM
itp.).
Dzięki rozwojowi technologii oraz ze względów ekonomicznych większość wymienionych wyżej układów tranzystorowych realizuje się w postaci
układów scalonych
. Co więcej, niektórych układów, jak np.
mikroprocesorów
liczących sobie miliony tranzystorów, nie sposób byłoby wykonać bez technologii scalania.
W roku 2001 holenderscy naukowcy z
Uniwersytetu w Delft
zbudowali tranzystor składający się z jednej
nanorurki
węglowej, jego rozmiar wynosi zaledwie jeden
nanometr
, a do zmiany swojego stanu (włączony / wyłączony) potrzebuje on tylko jednego elektronu. Naukowcy przewidują, że ich wynalazek pozwoli na konstruowanie układów miliony razy szybszych od obecnie stosowanych, przy czym ich wielkość pozwoli na dalszą miniaturyzację elektronicznych urządzeń. [8]
Przypisy
- ↑ The device logically belongs in the varistor family, and has the transconductance or transfer impedance of a device having gain, so that this combination is descriptive.
[1]
- ↑ J.E. Lilienfeld: patent USA 1745175 "Method and apparatus for controlling electric current" first filed in Canada on 22.10.1925.
- ↑ Michael Rriordan; How Europe Missed The Transistor; IEEE Spectrum, November 2005
- ↑ C. Mark Melliar-Smith, Douglas E. Haggan, and William W. Troutman; Key Steps to the Integrated Circuit; Bell Labs Technical Journal; Autumn 1997
- ↑ Witold Rosiński, Doświadczalne tranzystory ostrzowe Zakładu Elektroniki IPPT PAN, Przegląd Telekomunikacyjny, 7/1955
- ↑ Historia elektryki polskiej - TOM III, Elektronika i telekomunikacja, Wyd. N-T, Warszawa 1974
- ↑ Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964
- ↑
Buckled nanotubes make tiny transistors - 06 July 2001 - New Scientist
Zobacz też